今年4月29日刚刚获得博士学位的黄维，在本月30日就正式投入了中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅晶体项目科研工作。和黄维一样项目部19名科研人员和11名硕博士研究生，为了将于今年底结项的项目任务，他们放弃了休息，“五一”假期正常工作。这一切都是为了国家第三代半导体材料研发尽快成功。

      碳化硅晶体（SiC）能使其成为高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，可用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测及航空、航天、雷达、通讯系统和大功率的电子转换器及汽车马达等领域的极端环境中。另外，采用SiC所制备的发光二极管的辐射波长可以覆盖从蓝光到紫光的波段，在光信息显示系统及光集成电路等领域中具有广阔的应用前景，世界各国对SiC的研究非常重视。
 　　据介绍，当上海硅酸盐研究所承接国家第三代半导体核心材料碳化硅晶体自主研发项目时，让很多从事这一领域的科研人员十分振奋，迅速由两个相关课题组合并成为一个大项目部，来自上海、福建、河南、湖北、陕西等各个省市的研发团队中，70％以上的人都具有博士学位。

　　30日上午，记者来到位于上海嘉定区的上海硅酸盐研究所中试基地时，黄维和项目部的科研人员正在紧张地召开项目推进会。从去年开启半导体核心材料碳化硅晶体研发国家重大科技项目以来，该项目部研究人员几乎放弃所有节假日加紧攻关，目前20余台具有自主知识产权的碳化硅晶体生产炉已成功稳定生产高质量碳化硅晶体。

　　原本他刚刚获得博士学位，同事们对他说，刚拿到学位，可以先好好轻松一段时间，但为了这个项目年底结项，他并没有去休息，而是和大家一起加班加点地忙着，据了解，从承接这一项目以来，研发团队基本顾不上节假日休息，仅在春节时放过几天假。

　　在项目部的一间测试实验室内，项目部薄膜与测试小组组长刘学超正在指导一名研发人员对晶体成品进行标准检测。他介绍说，项目部研制的晶体材料，都需要在这些检测机器上完成表征测试，确保每项数据都合格。他告诉记者，随着项目进入关键阶段，“每天的质量测试工作差不多有十几个小时，大家就轮班来做”。

　　刘学超此前在上海硅酸盐研究所获得博士学位，之后前往英国留学两年，毕业后在当地一家研究单位工作。“上海硅酸盐研究所承接了这个国家项目以后，所里的领导老师邀请我回来加入研发团队，我觉得这里的工作更有意义，虽然那边的合同还没到期，但我还是立马回来了。”

　　5年前博士毕业后加入碳化硅晶体研发课题组的严成锋，如今已是碳化硅晶体项目部晶体生长组组长。几年来，他几乎把全部心血都倾注在碳化硅晶体生长炉研制上面，有时工作太晚就直接睡在仪器监控室里。

　　在碳化硅晶体生长实时监控系统前，严成锋介绍使用中的碳化硅晶体生长炉时滔滔不绝：“自主研制新一代中用晶体炉是我们多年的梦想，可以打破发达国家对我们的技术垄断，大大提升我国第三代半导体核心材料的自主研发生产能力。现在，我们已经掌握了从原料到晶体生长、加工、清洗、检测直至用户生产半导体产品的全部技术。”

　　严成锋说，忙于工作的这段时间里，基本家人都没法顾上，“好在家人都能理解，大家现都为国家第三代半导体材料研发尽快成功，牺牲一点个人的东西没什么”。